编号类型领域子领域问题问题的数学分析【含尺寸、时间、几何/拓扑/堆叠/材料】算法名称算法逐步推理思考的数学方程式及参数列表及参数的数字/数值和边界分布和边界条件/离散情况及连续性情况关联知识270解析解电磁学静电5G手机（n78）的射频前端FEM中PA的ESD保护电路（片上）的HBM等级验证GGNMOS设计目标HBM±2kV，TLP测试显示失效电流I_t2=2A，换算HBM等级= I_t2×1500Ω=3kV，满足要求；时间瞬态；几何为GGNMOS；材料为硅HBM等级换算1. HBM模型：人体电容C_HBM=100pF，放电电阻R_HBM=1500Ω，峰值电流I_peak=V_HBM/R_HBM。2kV时I_peak=2000/1500=1.33A。TLP测试中，脉宽100ns，上升时间10ns，测得的失效电流I_t2需大于1.3